文献

J-GLOBAL ID：201702222797362632   整理番号：17A0733712

HGINHGウエハ表面化学研磨研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Surface Chemical Polishing of HgInTe Wafers

著者 (5件)： YANG Yang (Northwestern Polytechnical University) ,  WANG Ling-hang (Northwestern Polytechnical University) ,  JIE Wan-qi (Northwestern Polytechnical University) ,  WANG Ya-bin (Northwestern Polytechnical University) ,  FU Li (Northwestern Polytechnical University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 38  号： 2  ページ： 535-538  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： HGINHG(MIT)ウエハ表面化学研磨技術を研究し、異なる濃度のBR_2-C_3H_7ON及びBR_2-MEOHをスラリーとして、MITウエハを化学研磨した。5%BR_2-C_3H_7ON研磨液の研磨速度は安定で,制御しやすく,研磨3分後に表面のスクラッチを効果的に除去し,表面形態を最適化することができた。5%BR_2-C_3H_7ONの研磨後のウエハ表面粗さは67%低下し,平坦性は著しく増加した。その結果,5%BR_2-MEOHスラリーの研磨速度は速く,研磨後の表面形態は劣っていた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  *化学研磨 ,  平坦性 ,  スラリー ,  *研磨 ,  最適化
準シソーラス用語： 表面形態 ,  スクラッチ ,  研磨速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： HgInTe ,  chemical polishing ,  erosion rate ,  surface roughness

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウエハ ,  表面化学 ,  研磨 ,  研究