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J-GLOBAL ID：201702222900275664   整理番号：17A0794818

バックチャネルエッチした酸化物薄膜トランジスタ回路集積のためのMoNi合金と多層構造を用いたCuベース電極の腐食挙動と金属化【Powered by NICT】

Corrosion Behavior and Metallization of Cu-Based Electrodes Using MoNi Alloy and Multilayer Structure for Back-Channel-Etched Oxide Thin-Film Transistor Circuit Integration

著者 (5件)： Kim Da Eun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Cho Sung Woon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Kim Sung Chan (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Kang Won Jun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Cho Hyung Koun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 2  ページ： 447-454  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mo/Cu二層は,大面積バックチャネルエッチ非晶質酸化物薄膜トランジスタ(TFT)回路集積化のための優れた電気伝導率と高い環境抵抗をもつ最も一般的な金属電極である。theMo/Cu二分子層はconventionalweak acidicH_2O_2~ベースエッチング液溶液中において不十分なエッチプロファイルとismetallized。これはMo関連酸化物残渣の形成とMoとCuの間の高エッチング速度比,マイクロスケールメタライゼーションにおける短絡と電気的劣化をもたらし,酸化物TFTの電気的不安定性を誘起する。Cu-Ni(E°_Cu-Ni:0.597V>E°_Cu-Mo:0.492V)における大きなガルバニック電位差を持ち,従来のエッチング液中の金属酸化物残基を誘導する殆どがMoNi(Mo:Ni=1:3)合金とMoを置換した。添加では,代替三電極構造(MoNi/Cu/MoNi)は頂部及び底部MoNi層から十分なガルバニック電流を提供することによってCuイオン化を抑制するために提案した。結果として,このMoNi/Cu/MoNi矩形プロファイル,最適テーパ角,及び低い損失awetエッチング形態,マイクロスケール金属線幅の形成を可能にすることを示した。さらに,TFTにおけるMoNi/Cu/MoNi三層電極の応用は,より信頼性の高い電気的性能と良好な均一性をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  エッチング液 ,  非晶質 ,  電気伝導率 ,  信頼性 ,  *モリブデン ,  エッチング ,  金属酸化物 ,  *メタライゼーション ,  電流 ,  *薄膜トランジスタ ,  *多層構造 ,  金属線
準シソーラス用語： マイクロスケール ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物薄膜 ,  トランジスタ回路 ,  集積 ,  多層構造 ,  Cu ,  腐食挙動 ,  金属化