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J-GLOBAL ID：201702223109758005   整理番号：17A0855396

Alq_3に基づくOLEDの低温度過渡応答とエレクトロルミネセンス特性【Powered by NICT】

Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq₃

著者 (9件)： Yuan Chao (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Yuan Chao (College of Materials Science and Optoelectronic Devices, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Guan Min (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Yang (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Yang (College of Materials Science and Optoelectronic Devices, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Li Yiyang (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Shuangjie (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zeng Yiping (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zeng Yiping (College of Materials Science and Optoelectronic Devices, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 413  ページ： 191-196  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Alq_3に基づく有機発光ダイオード(OLED)を作製した。低温で有機発光素子におけるキャリアの輸送機構を明らかにするために,詳細なエレクトロルミネセンス(EL)の過渡応答とOLEDにおける種々の温度で電流-電圧-ルミネセンス(I V L)特性を調べた。温度が200Kの場合温度上昇とともに輝度増加の加速が最大で,それは主に電子輸送層(Alq_3)によって影響されることを議論した。温度が200Kの場合MoO_3注入層およびエレクトロルミネセンス層は遅延時間に大きな影響を与える。温度が250Kより高い,遅延時間は主にMoO_3注入層により影響される。これに反して,立下り時間は主にエレクトロルミネセンス材料により影響を受けた。温度がキャリアの蓄積速度を表す1Kを増加するとV_fは立下り時間の平均成長速度である。MoO_3注入層によるV_f間の差は0.52us/Kであり,エレクトロルミネセンス材料によるIr(ppy)3は0.73us/Kである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  昇温 ,  堆積速度 ,  電流 ,  輝度 ,  *低温 ,  成長速度 ,  電圧 ,  *過渡応答 ,  *ルミネセンス
準シソーラス用語： 遅延時間 ,  電子輸送層 ,  *有機EL素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 低温度 ,  ターンオン電圧 ,  電子移動度 ,  エレクトロルミネセンス過渡応答

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

タイトルに関連する用語 (4件)： OLED ,  低温度 ,  過渡応答 ,  エレクトロルミネセンス