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J-GLOBAL ID：201702223267237850   整理番号：17A0203737

nドープアンチモン化インジウムの非線形放射応答と強いテラヘルツ場におけるひ化インジウム【Powered by NICT】

Nonlinear radiation response of n-doped indium antimonide and indium arsenide in intense terahertz field

著者 (6件)： Gong Jiaoli (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology) ,  Liu Jinsong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology) ,  Chu Zheng (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology) ,  Yang Zhengang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology) ,  Wang Kejia (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology) ,  Yao Jianquan (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 100203-1-100203-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強いテラヘルツ(THz)場中での二種類のn型ドープバルク半導体アンチモン化インジウム(InSb)とひ化インジウム(InAs)の非線形放射応答を室温でアンサンブルモンテカルロ(EMC)法を用いて研究した。結果は二つの材料の放射線1-THzの中心周波数で100kV/cmの高電場下での約THz周期的規則的なスペクトル分布を生成することを示す。中心周波数はInSbの約7THzまで,InAsではわずか5THz増強であった。電子谷占有と衝突イオン化により励起された新しい電子の割合も計算した。バンド非放物線性と衝撃イオン化を非線形高周波数放射の生成を促進するが,谷間散乱は逆の効果を示した。さらに,InSbで支配的衝突イオン化,衝突イオン化と谷-谷散乱はInAsで一緒に作用した。これらの特性は,THz波とTHz非線形周波数逓倍場の転換における潜在的応用を持つ。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 散乱 ,  半導体 ,  スペクトル ,  *アンチモン化インジウム ,  周波数逓倍 ,  放射線 ,  衝突イオン化 ,  *テラヘルツ波 ,  モンテカルロ法 ,  HF【周波数】 ,  *ヒ化インジウム ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 高電場 ,  中心周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アンサンブルモンテカルロ法 ,  非放物線性 ,  衝撃イオン化 ,  谷-谷散乱

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  アンチモン化インジウム ,  非線形 ,  放射 ,  応答 ,  テラヘルツ ,  ひ化インジウム