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J-GLOBAL ID：201702223304529777   整理番号：17A0343869

水素アニーリングにおけるシリコンベース導波路表面平滑化のミクロ機構【Powered by NICT】

Micro-Mechanism of Silicon-Based Waveguide Surface Smoothing in Hydrogen Annealing

著者 (8件)： Duan Qianqian (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Ren Xinyu (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Jian Aoqun (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Zhang Hui (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Ji Jianlong (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Zhang Qiang (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Zhang Wendong (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Sang Shengbo (Micro Nano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 126801-1-126801-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン導波路表面平滑化のミクロ機構は高温水素アニーリング導波路上のけい素-水素結合の影響を調査するために系統的に調べた。けい素原子と導波路表面トポグラフィーの表面移動運動に及ぼすけい素-水素結合の影響を明らかにした。上部状態からけい素原子の低い状態への移動は,けい素-水素結合,シリコンベース導波路の粗い表面形態を改善するために鍵となるにより駆動される。水素アニーリングのプロセスは,シミュレートされたパラメータに基づいて実験的に検証した。表面粗さは1.523nmから0.461nmまで減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *平滑化 ,  *水素 ,  *ケイ素 ,  表面拡散 ,  *焼なまし ,  高温 ,  *導波路
準シソーラス用語： 表面形態 ,  表面トポグラフィー ,  Si-H結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  アニーリング ,  シリコン ,  導波路 ,  平滑化