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J-GLOBAL ID：201702223557390117   整理番号：17A0294481

アルミニウムドープ単層アーム(6,6)ケイ素ナノチューブの電子構造と光電気的性質の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structure and Photoelectric Properties of Al-doped Single-walled Armchair (6, 6) Silicon Nanotubes from First-principles

著者 (4件)： Zhang Changhua (Department of Electrical Engineering, Hubei University for Nationalities) ,  Yu Zhiqiang (Department of Electrical Engineering, Hubei University for Nationalities) ,  Lang Jianxun (Department of Electrical Engineering, Hubei University for Nationalities) ,  Liao Honghua (Department of Electrical Engineering, Hubei University for Nationalities)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 30  号： 11B  ページ： 147-151  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を用いて,単層カーボンナノチューブ(6,6)の電子構造と光電特性に及ぼすアルミニウムドーピングの影響を研究した。この結果は,このバンドギャップが,直接バンドギャップ半導体であり,そのバンドギャップが0.42EVであることを示し,そのバンドギャップが0.02EVであることを示した。単層アーム(6,6)ケイ素ナノチューブの価電子バンドは主にSI-3P状態電子からなり,その伝導帯は主にSI-3P状態電子によって決定される。同時に,アルミニウムドーピングにより,シリコンナノチューブのバンドギャップが狭くなり,吸収スペクトルが赤方偏移し,光電子デバイスへのシリコンナノチューブの応用のための理論的基礎を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *第一原理 ,  バンドギャップ ,  *アーム ,  伝導バンド ,  密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  吸収スペクトル ,  *電気的性質 ,  赤方偏移 ,  *単一層
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  直接バンドギャップ ,  *光電気 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： first-principles ,  silicon nanotubes ,  electronic structure ,  photoelectric properties

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： アルミニウム ,  ドープ ,  単層 ,  ケイ素 ,  ナノチューブ ,  電子構造 ,  電気的性質 ,  第一原理 ,  研究