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J-GLOBAL ID：201702223579730655   整理番号：17A0296401

超短パルスレーザ半導体材料のアニーリング【JST・京大機械翻訳】

Ultrafast Laser Annealingof Semiconductors

著者 (2件)： Bai Feng (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Quanzhong (State Key Laboratory of High Field Laser Physics,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan  (Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan)
巻： 53  号： 11  ページ： 110001-1-110001-13  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2698A  ISSN： 1006-4125  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザ焼なまし技術は1974年以来の熱処理の一つと考えられている。ピコ秒範囲での超短パルスアニーリングは熱モデルで解釈できる。フェムト秒あるいはパルス幅がより短い超短パルスレーザは直接電子励起により格子構造の変化を実現し,融点より低い場合にアニーリングを完了する。超短パルスレーザ焼なましは非熱モデルアニーリングに属し、新型の焼なまし方式である。2つのアニーリングモデルの基本原理を紹介し,超短パルスレーザ焼なましの歴史と現状を要約し,将来の研究傾向を分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 融点 ,  ピコ秒 ,  パルス幅 ,  *焼なまし ,  電子励起 ,  *パルス ,  *超短パルスレーザ ,  格子構造 ,  レーザアニーリング ,  フェムト秒 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： 熱モデル ,  *超短パルス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： laser technique ,  femtosecond laser ,  picosecond laser ,  phase change ,  annealing

分類 (2件)： レーザ一般  (BD04030T) ,  固体レーザ  (BD04080W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 短パルスレーザ ,  半導体材料 ,  アニーリング