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J-GLOBAL ID：201702223726500945   整理番号：17A0275826

SiC-MOSFETを用いたインバータ回路のためのキャパシタを用いた集積ハーフブリッジモジュール間の循環共鳴電流【Powered by NICT】

Circulating resonant current between integrated half-bridge modules with capacitor for inverter circuit using SiC-MOSFET

著者 (3件)： Hirao Takashi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, 1, Minamiosawa 1-chome, Hachioji, 192-0397, Japan) ,  Wada Keiji (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, 1, Minamiosawa 1-chome, Hachioji, 192-0397, Japan) ,  Shimizu Toshihisa (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, 1, Minamiosawa 1-chome, Hachioji, 192-0397, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 循環共鳴電流に焦点を当てた統合ハーフブリッジモジュールのインバータ回路構成の設計を本論文で明らかにした。この配置は小直流側漂遊インダクタンスの利点を持っているが,等価回路の解析は,直流側コンデンサ電流は共鳴とスイッチング周波数の間の関係に依存して増加することを示唆した。この事実はコンデンサ容量の増加をもたらすであろう。コンデンサ電流はSiC-MOSFETを用いた100kHzまでスイッチング周波数で実験的に調べた。実験結果は,共鳴周波数は基本的なまたはスイッチング周波数の第三高調波のいずれかに近いときに共鳴電流が顕著であったことを示した。提案した設計により,キャパシタ電流の増加を避けることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流 ,  *MOSFET ,  直流 ,  共振周波数 ,  *コンデンサ ,  インダクタンス ,  *共鳴 ,  等価回路 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 第三高調波 ,  スイッチング周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  MOSFET ,  インバータ回路 ,  キャパシタ ,  集積 ,  ハーフブリッジ ,  モジュール ,  循環 ,  共鳴