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J-GLOBAL ID:201702223801528667   整理番号:17A0365422

増強された誘電率と井戸サプレス型誘電損失を持つ誘電体材料の調製のための還元グラフェン酸化物による窒化ほう素の表面改質【Powered by NICT】

Surface modification of boron nitride by reduced graphene oxide for preparation of dielectric material with enhanced dielectric constant and well-suppressed dielectric loss
著者 (6件):
資料名:
巻: 134  ページ: 191-200  発行年: 2016年 
JST資料番号: H0433A  ISSN: 0266-3538  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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導電性充填剤を添加すると誘電率を向上させる有効な方法であるが,通常,高分子の誘電損失を増加させた。本研究では,超低誘電損失を維持しながら,はるかに改善された誘電定数を持つ高分子複合材料は,ハイブリッド充填剤を用いて,高分子マトリックス中の導電性充填剤の分散を制御することで達成できることを示した。これを行うために,グラフェン酸化物は静電自己集合を経由した大型絶縁六方晶窒化ホウ素(h BN)の表面上に固定化されたように設計し,その後化学的還元を伴うエポキシへのこのハイブリッド充填剤を紹介した。この場合,還元グラフェン酸化物(rGO)シートは,h-BNの表面に固定したので,rGOシートは高負荷でもお互いに分離された。だけでなく有意に増強された誘電定数は観察されたが,純エポキシのそれに匹敵する非常に低い誘電損失を達成した。この低い誘電損失は固定化を介した電荷キャリアと分離したrGOシートの移動度を阻害するh-BNの埋め込まれた絶縁性ネットワークに起因すると考えられた。明らかに改善された誘電特性に加えて,ナノ複合材料は,良好な熱伝導率を示した。はこの特別な構造が,非常に増強した誘電率と同様に充分に抑制された誘電損失を持つ誘電体材料を作製するための新しい考え方を提供するであろうと信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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強化プラスチックの成形  ,  炭素とその化合物 

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