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J-GLOBAL ID：201702223869797017   整理番号：17A0062079

速度と結合を同時テーパリングを用いたシリコン・オン・インシュレータに基づく広帯域1×3断熱スプリッタ【Powered by NICT】

Silicon-on-Insulator-Based Broadband 1×3 Adiabatic Splitter with Simultaneous Tapering of Velocity and Coupling

著者 (4件)： Gong Yuanhao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Zhiyong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Jinzhong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Yude (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 9  ページ： 094201-1-094201-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・オン・インシュレータ技術に基づく広帯域1×3断熱スプリッタを実験的に実証し,速度と結合を同時テーパリングと提案した。設計した構造は,250nmの広帯域0.5dBより三出力の伝送均一性良好なシミュレーションとなり,大きな模擬製作公差を得た。パラメータは設計から発散する非常に製造したスプリッタは80nmの広い波長範囲で最悪の分岐比の測定結果1.5dB以上0.8dBより低い過剰損失が得られた。試験したスプリッタに基づくポストシミュレーションは実際の伝送に良好に一致することを結果を得ている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *スプリッタ ,  分岐比 ,  SOI構造 ,  公差 ,  *広帯域

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： テーパ ,  シリコン・オン・インシュレータ ,  広帯域 ,  断熱 ,  スプリッタ