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J-GLOBAL ID:201702224259838644   整理番号:17A0276078

スイッチング損失最適化のためのSiCハーフブリッジモジュールの正確なサブ回路モデル【Powered by NICT】

An accurate subcircuit model of SiC half bridge module for switching loss optimization
著者 (8件):
資料名:
巻: 2016  号: ECCE  ページ: 1-8  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高出力密度のための増加する需要は,高スイッチング周波数で動作する電力変換器を必要とする。SiCパワーモジュールは優れたスイッチング速度と低スイッチング損失に起因する高周波応用のための最も有望な候補の一つと考えられている。スイッチング損失を最適化する従来の戦略は通常反復二重パルス試験,スイッチング損失とEMI問題の間のトレードオフを達成するための最適なゲート抵抗を見出すために時間を消費するによって達成される。本研究では,正確なSiCモジュールサブ回路モデルを提案した。デバイスの物理的挙動を考慮し,データシート情報から直接引き出すことができる。PSpiceシミュレーションとスイッチング波形とスイッチング損失の両方の実験結果の間では良い一致が得られた。も妥当な精度でゲートドライバの設計のための指針を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電力変換器  ,  トランジスタ 

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