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J-GLOBAL ID:201702224275446313   整理番号:17A0204183

パターン形成したサファイア基板上に成長させたLEDのGaN-サファイア界面における増加した有効反射と透過【Powered by NICT】

Increased effective reflection and transmission at the GaN-sapphire interface of LEDs grown on patterned sapphire substrates
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巻: 37  号: 10  ページ: 104003-1-104003-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2377A  ISSN: 1674-4926  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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GaN系LEDの光出力電力(LOP)の最表面(P GaN表面)とbottomsurface(サファイア表面)上のパターン化サファイア基板(PSS)の影響を調べた,GaN-サファイア界面の反射と透過の変化を研究した。実験的研究と計算機シミュレーションを組み合わせて,GaN系LEDの上部あるいは底部表面,パターン化したサファイヤ基板(PSS LEDs)上に作製したからLOPの大きな増強を明らかにした。さらに,結果は,平面サファイア基板(CSS LEDs)上に作製した通常のLEDと比較した。詳細な理論的解析も有効反射とPSS GaN界面層の透過の両方の増加の説明をさらに支持すると増加したLOP値の原因を説明するために提示した。さらに,最上面のそれと比較した場合,PSS LEDチップの底部表面はわずかに増加した光出力性能を示した。,光抽出効率(LEE)はPSSとフリップチップ構造設計法を統合することによりさらに増強することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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発光素子 

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