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J-GLOBAL ID：201702224358278106   整理番号：17A0474451

低エネルギー電子衝撃によるOs,Ir及びPtのLα,Lβ,LγおよびM X線生成断面積の測定:実験と理論の比較【Powered by NICT】

Measurements of Lα, Lβ, Lγ and M X-ray production cross sections of Os, Ir and Pt by low-energy electron impact: Comparisons of experiment with theory

著者 (6件)： Zhao J.L. (Department of Radiation Oncology, Cancer Center, West China Hospital/West China School of Medicine, Sichuan University, Chengdu 610041, PR China) ,  Zhao J.L. (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, PR China) ,  An Z. (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, PR China) ,  Zhu J.J. (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, PR China) ,  Tan W.J. (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, PR China) ,  Liu M.T. (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Institute of Nuclear Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, PR China)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 134  ページ： 71-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Lα,Lβ,LγおよびM殻X線生成断面積の実験的決定と30keVの入射エネルギーでの電子衝撃によるOs(Z=76),Ir(Z=77)およびPt(Z=78)に対する比を示した。厚い炭素基板上に堆積した研究した元素の薄膜を実験のターゲットとして使用した。二層構造ターゲットにおける電子散乱効果によるL及びM殻特性X線発生の向上を,モンテカルロシミュレーションにより補正した。比較は,DWBAとPWBA C ex理論と文献における他の実験データと測定されたLα,Lβ,LγおよびM殻X線生成断面積とそれらの比の間で行った。L副殻の場合には,OsとPtの測定データは実験誤差の範囲内で理論値と良く一致したが,Ir;存在する実験と理論の間にかなりの不一致M殻の場合には,Irの測定データは実験誤差の範囲内で理論値と良好な一致を示したが,測定された結果は,OsとPtの理論値よりも幾分低かった。最後に,断面積比に関する実験と理論の比較に影響する可能性のある因子を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固有X線 ,  *白金 ,  *イリジウム ,  薄膜 ,  *X線 ,  *断面積 ,  *電子衝突 ,  *オスミウム ,  電子散乱
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  二重層 ,  入射エネルギー ,  *生成断面積 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子衝撃 ,  L及びM殻イオン化 ,  生成断面積 ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (1件)： X線スペクトル  (BH03040J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低エネルギー ,  電子衝撃 ,  Os ,  Ir ,  Pt ,  X線生成 ,  断面積 ,  実験 ,  理論