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J-GLOBAL ID：201702224451493330   整理番号：17A0825230

28nm FDSOIフリップフロップ設計のSEU性能の評価【Powered by NICT】

Evaluation of SEU Performance of 28-nm FDSOI Flip-Flop Designs

著者 (14件)： Wang H.-B. (College of IOT Engineering, Hohai University, Changzhou, China) ,  Kauppila J. S. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Lilja K. (Robust Chip Inc., Pleasanton, CA, USA) ,  Bounasser M. (Robust Chip Inc., Pleasanton, CA, USA) ,  Chen L. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada) ,  Newton M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada) ,  Li Y.-Q. (Robust Chip Inc., Pleasanton, CA, USA) ,  Liu R. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada) ,  Bhuva B. L. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Wen S.-J. (Cisco Systems, San Jose, CA, USA) ,  Wong R. (Cisco Systems, San Jose, CA, USA) ,  Fung R. (Cisco Systems, San Jose, CA, USA) ,  Baeg S. (Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Massengill L. W. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 367-373  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,絶縁体(FDSOI)技術に市販28nm完全空乏化シリコンで作製したフリップフロップ(FF)設計の多様性はイオンとパルスレーザ実験とのシングルイベントアップセット性能を評価した。これらFF設計は未硬化DFF,インバータにおける積重ねられたトランジスタをもつ硬化DFF,とレイアウト最適化Dフリップフロップで構成されている。これらDFFは,アルファ粒子および重イオン(HI)に曝露した。硬化DFFのいずれも正常な照射下で50MeV*cm~/mgの線エネルギー付与(LET)まで誤差を示し,レイアウトベース硬化DFFは60~0の傾斜角と50MeV*cm~/mgのLETで誤差を調べるために開始した。試験データは,これらの硬化設計の効果的なSEU低減を実証した。二光子吸収(TPA)レーザ実験は,これらのDFF設計を試験するために行った,その結果はパルスレーザは,ナノスケールSOI積層構造で設計されたFFを評価するために有効なツールではないかもしれないことを示した。RHBD設計のためのレーザ硬度保証における新たな課題をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 傾斜角 ,  イオン ,  積層構造 ,  *双安定回路 ,  パルスレーザ ,  α粒子 ,  二光子吸収 ,  SEU【シングルイベント】 ,  硬度 ,  線エネルギー付与 ,  絶縁体 ,  レーザ ,  トランジスタ
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： FDSOI ,  フリップフロップ ,  設計 ,  SEU ,  評価