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J-GLOBAL ID:201702224774588921   整理番号:17A0756787

バイアを通したガラス基板を用いたSiP集合と応用【Powered by NICT】

SiP assembly and application using glass substrate with through vias
著者 (11件):
資料名:
巻: 2016  号: IMPACT  ページ: 281-284  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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TGVの直径は100μmであり,ガラス基質である厚さ200μmの(TGV)貫通ビアガラスとガラス基板を用いたシステムインパッケージ(SiP)モジュールの集合構造を示すことである。ガラス基質は最初表面上とバイアにおける誘電体材料で積層した;ビア内部の誘電体材料の孔を通して掘削であった。銅が誘電体を通しての正孔の壁と誘電体材料の表面上に後にめっきした。この方法はによる(ViV)と呼ばれている。二SRAMチップ経路遅延抽出回路と直列に接続されている二BGAパッケージSRAMチップはViVガラス基板の上面に搭載したViV SiPモジュールを形成した。ViV SiPモジュールは,パス遅延測定のためのPCB試験ボード上実装ViV TGV基板の機能的性能を調べることである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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混成集積回路  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (4件):
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