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J-GLOBAL ID:201702224806060241   整理番号:17A0403924

Cu_2In_3VO_9セラミック材料の半導体的性質【Powered by NICT】

Semiconducting properties of Cu2In3VO9 ceramic material
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 2456-2459  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu_2In_3VO_9は160K以上で内因性および外因性領域,それぞれ,直接許容エネルギーギャップE=1.09eV,T n-p=400Kでp形からn形へ熱起電力の符号の変化,強い温度依存性と周波数誘電定数(ε_R)および損失正接(tanδ)の両方の活性化エネルギーE a1=0.61eVとE a2=0.03eVの半導体であることをUV-vis-NIRおよび誘電分光法とその電気伝導率と熱起電力の測定によって特性化した。さらに,I-V特性とコンダクタンスは温度と電圧に誘起された電荷キャリアの強い発光の典型的な対称性と非線形挙動の証拠を提供した。これらの結果は,Maxwell-WagnerまたはJonscherとのような緩和過程を仮定した二次元のフラストレートした系を形成するハニカム格子構造中の空格子点アクセプタ準位とドナー準位の枠内で解釈した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (3件):
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セラミック・磁器の性質 
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