パターニングされたSiO<sub>2</sub>中間層の導入によるp-ZnO/n-Siヘテロ接合の電気輸送とエレクトロルミネセンス特性の改善

SHI Zhifeng; WU Di; XU Tingting; ZHANG Yuantao; ZHANG Baolin; TIAN Yongtao; LI Xinjian; DU Guotong

文献

J-GLOBAL ID：201702225192790740 整理番号：17A0237332

パターニングされたSiO₂中間層の導入によるp-ZnO/n-Siヘテロ接合の電気輸送とエレクトロルミネセンス特性の改善

Improved Electrical Transport and Electroluminescence Properties of p-ZnO/n-Si Heterojunction via Introduction of Patterned SiO₂ Intermediate Layer

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資料名：
巻： 120 号： 8 ページ： 4504-4510 発行年： 2016年03月03日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

複雑な中空形状のパターニングされたSiO₂層をもつp-ZnO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製を実証した。温度依存I-V測定を行って,支配的なキャリア輸送機構を決定した。反転飽和電流I₀,障壁高さΦ_b,ダイオード理想因子nなどのいくつかのパラメータを,熱電子放出モデルをベースに推定した。ヘテロ接合における輸送機構は,印加バイアス電圧と温度に依存する3種のプロセスによって限定される。順バイアス下では,ダイオードは,明確な紫外-可視発光を示す。ダイオードの発光特性に及ぼす動作温度の影響を研究して,過酷な環境での実用のために,感受性と適合性を調査した。低い発光の開始と許容できる動作安定性は,用いたアプローチの可能性をプラスに証明した。

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体のルミネセンス

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パターニングされたSiO2中間層の導入によるp-ZnO/n-Siヘテロ接合の電気輸送とエレクトロルミネセンス特性の改善

パターニングされたSiO₂中間層の導入によるp-ZnO/n-Siヘテロ接合の電気輸送とエレクトロルミネセンス特性の改善