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J-GLOBAL ID：201702225352403444   整理番号：17A0407640

結晶構造精密化,Ho~3+修飾BiFeO_3マルチフェロイック材料の強誘電および強磁性特性【Powered by NICT】

Crystal structure refinement, ferroelectric and ferromagnetic properties of Ho³⁺ modified BiFeO₃ multiferroic material

著者 (7件)： Song G.L. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Song Y.C. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Su J. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Song X.H. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Zhang N. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Wang T.X. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China) ,  Chang F.G. (College of Physics and Materials Science, Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Affiliated Middle School of Henan Normal University, Henan Normal University, Xinxiang, 453007, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 503-509  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチフェロイックBi_1 xHo_xFeO_3(x=0,0.05,0.1)セラミックを急速液相焼結法により作製した。BiFeO_3セラミックの結晶構造に及ぼすHo~3+ドーピング,誘電,強誘電特性,T_NとT_Mの影響を調べた。結果はBi_1 xHo_xFeO_3試料の全てのピークはXRDにより純BiFeO_3の結晶構造に従ってインデックスでき,1~5μmの粒径はHo~3+ドープしたBiFeO_3試料で観察されたことを示した。Bi_1 xHo_xFeO_3セラミックの誘電挙動を周波数と温度に応じて変化し,これは,酸素空格子点,Fe~3+イオンの変位と格子相転移の観点から理解できる。は10Vのバイアス電圧でBi_1 xHo_xFeO_3試料のε_r V曲線における完全誘電ヒステリシス現象であるバイアス電圧の作用下で,ますます多くの双極子がバイアス電圧方向に「凍結「と分極徐々に禁煙,低い誘電率をもたらした。Bi_1 xHo_xFeO_3(x=0.05,0.1)試料の不飽和P-Eヒステリシスループは,3.08μC/cm~2の大きな2Prが得られた。Bi_0 9Ho_0 1FeO_3のP_r,M_r試料はBiFeO_3のほぼ2335倍であった。BiFeO_3セラミックス中のHo~3+ドーピングは強誘電及び磁気特性を調整する効果的な方法であることが証明されていると推定できる。BiFeO_3のT_Nは644Kから638Kまでわずかに変化し,Bi_1 xHo_xFeO_3のT_MはHo~3+含有量の増加に伴って878Kから860Kまで低下させることを示した。Fe~3+-O~2+-Fe~3+超交換力と磁気構造の相対的安定性に起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  磁気 ,  強誘電性 ,  ヒステリシス ,  X線回折 ,  *強磁性 ,  セラミック ,  磁気構造 ,  *結晶構造 ,  誘電率
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  バイアス電圧 ,  酸素空格子点 ,  *磁性強誘電体 ,  *マルチフェロイック材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： マルチフェロイック材料 ,  強誘電性 ,  強磁性 ,  電気ヒステリシスループ ,  磁気ヒステリシスループ

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶 ,  構造精密化 ,  修飾 ,  マルチフェロイック材料 ,  強磁性