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J-GLOBAL ID：201702225576892583   整理番号：17A0884455

低抵抗Zn_3P_2中の深い準位【Powered by NICT】

Deep levels in low resistive Zn₃P₂

著者 (3件)： Sieranski K. (Department of of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Szatkowski J. (Department of of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Hajdusianek A. (Department of of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201600553  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 閉管気相輸送法により成長させた低抵抗率p型多結晶Zn_3P_2を調べた。深いキャリアトラップを,深準位過渡分光法(DLTS)と光容量過渡測定により研究した。DLTS測定から四つの主要な正孔トラップのパラメータを決定した。第一価電子帯の頂部以上の活性化エネルギー0.17eVの,原因不明の亜鉛空格子点,起源は不明である活性化エネルギー0.34eVの欠陥,活性化エネルギー0.46eV,おそらく酸素関連欠陥と活性化エネルギーと欠陥に関連した0.77eVと考えられる。0.17エネルギーと0.46eVの欠陥に対して捕獲エネルギーの非ゼロ値が見出された:0.03および0.16eVであった。フォトキャパシタンス測定から三つの光活性化エネルギーは曲線上のステップのように決定した:0.83,0.99と1.25eVであった。0.83eVの光学活性化エネルギーを持つ欠陥はDLTS測定から得られた捕獲0.16eVの活性化エネルギー0.46eVとエネルギー障壁を有する欠陥としておそらく同じ欠陥,Zn_3P_2の高抵抗試料における永久光伝導(PPC)効果の原因である可能性がある。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 捕獲 ,  多結晶 ,  光伝導 ,  価電子バンド ,  *深い準位 ,  キャリア捕獲 ,  活性化エネルギー ,  気相成長 ,  深準位過渡分光法 ,  *亜鉛 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  光活性化 ,  フォトキャパシタンス ,  正孔トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 深準位過渡分光法 ,  欠陥 ,  DLTS ,  光容量 ,  Zn3P2

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 低抵抗 ,  深い準位