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J-GLOBAL ID：201702225745088962   整理番号：17A0704871

UV水素化GaInNAsにおける支配的な光ルミネセンス遷移の制御におけるN-H錯体の効果と性質【Powered by NICT】

The effect and nature of N-H complexes in the control of the dominant photoluminescence transitions in UV-hydrogenated GaInNAs

著者 (12件)： Brown C. R. (Homer L. Dodge Department of Physics & Astronomy, University of Oklahoma, Norman, Oklahoma 73019, USA. [e-mail]) ,  Estes N. J. ,  Whiteside V. R. ,  Wang B. ,  Hossain K. ,  Golding T. D. ,  Leroux M. ,  Al Khalfioui M. ,  Tischler J. G. ,  Ellis C. T. ,  Glaser E. R. ,  Sellers I. R.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 41  ページ： 25353-25361  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1eVのバンドギャップとGaAs整合格子定数のために,GaInNAsは長さ四接合多重接合太陽電池に用いるための検討されてきた;が,材料品質問題は高度に効率的なデバイスでの使用を妨げてきた。ここでは,部分的に中の窒素関連合金ゆらぎ,不純物および欠陥を不動態化したUV活性化プロセスによる水素化GaInNAs試料の解析結果を報告した;著しく,窒素置換,すなわち,不動態化前の合金のバンドギャップの影響を無傷に保ちながら光ルミネセンスの’s型の依存性を完全に取り除いた。UV活性化プロセスによる光試料の水素化は避けられない合金ゆらぎに起因する浅い局在中心から自由励起子バンドギャップ遷移により支配されるGaInNAs光ルミネセンスではなく,放射再結合過程をもたらした。これらの中心は,最高品質の希薄窒化物でも低温度光ルミネセンスを支配するので,この挙動が特徴である。密度汎関数理論計算は,NとGa原子の水素化はドナーとして作用するH-N中心の形成によるバンドギャップから欠陥準位を除去することを示した;高濃度の水素で,Ga H_2N錯体は連続内に存在する。これらの水素錯体の形成,バンド構造の現在の変化と共に,水素化時の局在中心からの発光の減少を説明した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合金 ,  ゆらぎ ,  太陽電池 ,  *水素化 ,  低温 ,  不純物 ,  バンドギャップ ,  不動態化 ,  ヒ化ガリウム ,  *光ルミネセンス ,  *ガリウム ,  窒素 ,  *水素 ,  窒化物
準シソーラス用語： *ヒ化窒化ガリウムインジウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素化 ,  GaInNAs ,  支配 ,  光ルミネセンス ,  遷移 ,  錯体 ,  性質