文献

J-GLOBAL ID：201702225769377588   整理番号：17A0352487

静電放電ストレス下のダイオードトリガシリコン制御整流器の構造に依存した挙動【Powered by NICT】

Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress

著者 (3件)： Zhang Lizhong (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Wang Yuan (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  He Yandong (Institute of Microelectronics, Peking University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 128501-1-128501-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のダイオードトリガシリコン制御整流器(DTSCR)における構造依存静電放電挙動の包括的な理解は,この論文で提示されている。デバイスシミュレーションと組み合わせて,数学モデルをこの現象へのより深い洞察を得るために構築した。理論的研究は,修飾DTSCR構造の伝送線パルス(TLP)試験結果,65nm相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで実現し,検証した。DTSCRベース保護方式が必要である物理的機構の詳細な分析を用いて,予測を提供することである。さらに,DTSCRにおける漏れとトリガー電圧間のトレードオフを達成する方法を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *サイリスタ ,  パルス ,  数学モデル ,  電圧 ,  伝送線路 ,  CMOS ,  *静電気放電
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 静電放電(ESD) ,  ダイオードトリガシリコン制御整流器(DTSCR) ,  transmissionlineパルス(TLP) ,  数学的モデル化

分類 (2件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  整流器  (NB08040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 静電放電 ,  ストレス ,  ダイオード ,  トリガ ,  シリコン制御整流器 ,  挙動