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J-GLOBAL ID：201702225999110260   整理番号：17A0222819

Si_xGe_1-x(001)とSi_xGe_1-x(110)上のSiN_xの界面拡散障壁の低温熱ALDと界面保護層

Low temperature thermal ALD of a SiN_x interfacial diffusion barrier and interface passivation layer on Si_xGe_{1- x}(001) and Si_xGe_{1- x}(110)

著者 (14件)： Edmonds Mary (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Sardashti Kasra (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Wolf Steven (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Chagarov Evgueni (Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Clemons Max (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Kent Tyler (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Park Jun Hong (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  Tang Kechao (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  McIntyre Paul C. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Yoshida Naomi (Applied Materials, Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Dong Lin (Applied Materials, Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Holmes Russell (Rasirc, Inc., San Diego, California 92126, USA) ,  Alvarez Daniel (Rasirc, Inc., San Diego, California 92126, USA) ,  Kummel Andrew C. (Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 146  号： 5  ページ： 052820-052820-12  発行年： 2017年02月07日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_0.7Ge_0.3(001),Si_0.5Ge_0.5(001),およびSi_0.5Ge_0.5(110)表面上のシリコンリッチSiN_x層の原子層堆積を,285°Cの基板温度でSi₂Cl₆およびN₂H₄前駆体の逐次パルシングにより達成した。XPSスペクトルは,Si 2pの結合エネルギーショルダーピークがSiO_xN_yCl_z結合を示唆し,Ge 2pおよびGe 3dのピークは界面結合のみに整合する少量のより高い結合エネルギー成分を示し,無視できる基板反応を持つSiGe表面上のSiO_xN_yの成長を示唆する。走査トンネル分光測定は,表面Fermi準位が緩み,電子構造がバンドギャップ内に状態がなくなるにつれて,SiN_x界面層がp型Si_0.70Ge_0.30(001),Si_0.50Ge_0.50(110),およびSi_0.50Ge_0.50(001)基板上に電気的受動表面を形成することを確認した。DFT計算は,中間層によるSiGe中の結合破壊と歪を最小化することにより,Siリッチa-SiO_0.4N_0.4中間層が,化学量論的a-SiO_0.8N_0.8,準化学量論的a-Si₃N₂,または化学量論的a-Si₃N₄中間層よりも低い界面欠陥密度を生成できることを示した。ALDのSiO_xN_y界面層の挿入の有無にかかわらず,p型Si_0.7Ge_0.3(001)およびSi_0.5Ge_0.5(001)基板上に金属酸化物半導体キャパシタデバイスを作製し,このSiO_xN_y層は類似したC_max値を持つ中間ギャップ付近の界面準位密度の低下をもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  *拡散 ,  *拡散障壁 ,  *窒化ケイ素 ,  基板温度 ,  前駆体 ,  X線光電子分光法 ,  結合エネルギー ,  ケイ素化合物 ,  酸化ケイ素 ,  塩化窒素 ,  Fermi準位 ,  スペクトロスコピー ,  密度汎関数法 ,  層 ,  欠陥 ,  欠陥密度 ,  薄膜コンデンサ ,  塩化ケイ素 ,  ヒドラジン ,  薄膜成長 ,  表面準位 ,  状態密度
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *保護層 ,  *界面拡散 ,  走査トンネル分光法 ,  中間層 ,  界面欠陥 ,  MOSキャパシタ ,  界面準位 ,  準位密度

分類 (1件)： 気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  拡散障壁 ,  低温 ,  ALD ,  保護層