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J-GLOBAL ID：201702226164552719   整理番号：17A0829738

アセチレンとの熱フィラメントCVDによる非晶質炭素膜の特性に及ぼす基板温度と冷却法の研究【Powered by NICT】

Investigation of substrate temperature and cooling method on the properties of amorphous carbon films by hot-filament CVD with acetylene

著者 (6件)： Zhai Zihao (College of Materials Science & Technology, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Materials and Technology for Energy Conversion, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 29 Yudao Street, Nanjing 210016, PR China) ,  Shen Honglie (College of Materials Science & Technology, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Materials and Technology for Energy Conversion, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 29 Yudao Street, Nanjing 210016, PR China) ,  Shen Honglie (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou, 213164, PR China) ,  Chen Jieyi (College of Materials Science & Technology, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Materials and Technology for Energy Conversion, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 29 Yudao Street, Nanjing 210016, PR China) ,  Jiang Ye (College of Materials Science & Technology, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Materials and Technology for Energy Conversion, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 29 Yudao Street, Nanjing 210016, PR China) ,  Tang Quntao (College of Materials Science & Technology, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Materials and Technology for Energy Conversion, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 29 Yudao Street, Nanjing 210016, PR China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 117  ページ： 322-330  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アセチレンを用いた熱フィラメント化学蒸着(HFCVD)による非晶質炭素(a C)膜の構造的,光学的および電気的性質に基づく研究を報告した。450°Cから850°Cの範囲の基板温度の効果と水素,アルゴンおよび炉冷却を含む冷却法を主に調べた。a-Cからナノ結晶グラファイト(nc G)及びnc Gからグラファイトへの構造転移は基板温度を上昇させることにより観察された。a-C膜中の水素含有量は温度450°Cから550°Cに増加し,高い成長速度と,550°Cでの大きな粗さに相当するとして急激に減少した。a-C膜の特性に及ぼす冷却方法の影響は冷却過程中の体積収縮により生成した異なる圧縮応力に起因していた。850°Cとそれに続く水素冷却で成長させた膜は1.2eVの光学ギャップ,3.18cm~2/(V s)の移動度と電気抵抗率7.79×10~ 3Ωcmの,他の方法によるa-C膜の報告されている特性と同等であったが最良の性能を示した。これらの結果はHFCVDは高品質a-C膜を合成するために良好な方法であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラファイト ,  水素 ,  電気抵抗率 ,  構造相転移 ,  *基板温度 ,  圧縮応力 ,  アルゴン ,  成長速度 ,  光学ギャップ ,  *非晶質 ,  電気的性質 ,  アルキン
準シソーラス用語： *アモルファスカーボン ,  *炭素膜 ,  *HFCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： アセチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： アセチレン ,  熱フィラメントCVD ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  基板温度 ,  研究