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J-GLOBAL ID：201702226617243249   整理番号：17A0751336

トンネルプロセスによる片側急激なMAPbI_3/TiO_2ヘテロ接合の近赤外光応答【Powered by NICT】

Near-Infrared Photoresponse of One-Sided Abrupt MAPbI₃/TiO₂ Heterojunction through a Tunneling Process

著者 (14件)： Yan Keyou (Department of Chemistry, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Yan Keyou (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Wei Zhanhua (Department of Chemistry, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Zhang Tiankai (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Zheng Xiaoli (Department of Chemistry, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Long Mingzhu (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Chen Zefeng (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Xie Weiguang (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Xie Weiguang (Siyuan Laboratory, Guangzhou Key Laboratory of Vacuum Coating Technologies and New Energy Materials, Department of Physics, Jinan University, Guangzhou, Guangdong, 510632, China) ,  Zhang Teng (Department of Chemistry, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Zhao Yuda (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong) ,  Xu Jianbin (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong) ,  Chai Yang (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong) ,  Yang Shihe (Department of Chemistry, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 46  ページ： 8545-8554  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体におけるトラップ状態は,通常,トラップ媒介無放射再結合による太陽電池における電荷分離と収集を劣化させる。,ペロブスカイトは,厚膜中の無視できない広帯域赤外吸収による低濃度にドープされることができ,それらのトラップ状態を,赤外励起とホットキャリア冷却を通過する電子を蓄積することが分かった。ハイブリッド片側急激なペロブスカイト/TiO_2p-Nヘテロ接合は,有害な再結合の代わりにトンネル過程を通してこれらのトラップ電荷の部分的収集を可能にすることを実証した。トンネルは,狭い枯渇TiO_2領域(<5 nm)の障壁を横切る,広い空乏化したp型ペロブスカイトにおける広帯域トラップ状態からのN型TiO_2電極である。トラップ状態はトンネリングを通したTiO_2にキャリアを注入すると約1ピーク外部量子効率を生成し,近赤外太陽電池をもたらした。近赤外応答は光検出デバイスは,両方のダイオードと導体モードで働くことを可能にした。ハイブリッドペロブスカイトの近赤外応用を探索する新しい道を開くものである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出 ,  ドーピング ,  広帯域 ,  *ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  励起 ,  太陽電池 ,  トンネル効果 ,  *近赤外線 ,  導体 ,  ホットキャリア ,  電荷分離 ,  半導体 ,  再結合
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭素対向電極 ,  赤外吸収 ,  perovskites ,  光検出 ,  トンネリング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル ,  プロセス ,  ヘテロ接合 ,  近赤外光 ,  応答