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J-GLOBAL ID：201702226855498471   整理番号：17A0705538

ジケトピロロピロールチオフェンビチアゾールアクセプタ-ドナー-アクセプタ単位を持つn型優性高分子半導体における電荷輸送に及ぼすアルキル鎖スペーサの影響【Powered by NICT】

Effect of alkyl chain spacer on charge transport in n-type dominant polymer semiconductors with a diketopyrrolopyrrole-thiophene-bithiazole acceptor-donor-acceptor unit

著者 (7件)： Yu Hojeong (Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Gyeongbuk 790-784, South Korea. [e-mail]) ,  Kim Hyong Nam ,  Song Inho ,  Ha Yeon Hee ,  Ahn Hyungju ,  Oh Joon Hak ,  Kim Yun-Hi
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 14  ページ： 3616-3622  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルキル鎖スペーサの影響はドナー(D)-アクセプタ(A)繰り返し単位を持つp型共役重合体の広く研究されてきたが,繰返し単位中に二個の異なる受容体をもつA-D-A構造を持つn型高分子に対するそれらの影響を調べた研究は少ない。,C6スペーサ(P 29 DPPBTz)C1スペーサ(P 24 DPPBTz)と29 アルキルと24 アルキルの分岐アルキル鎖を含むジケトピロロピロールチオフェンビチアゾールA-D-A型高分子半導体(DPPBTz)は電子支配的な電荷輸送系に対するアルキル鎖分岐位置の影響を明らかにするために設計し,合成した。ビチアゾール基の強い電子欠乏とトランス平面配座に因り,DPPBTzベース高分子半導体は1.87cmまで~2V~ 1s~ 1の高い電子移動度を持つn型支配的な電気的性質を示した。DPPBTz重合体の光物理的性質,薄膜微細構造,および電気的性質の系統的研究は,分岐位置の修飾により,A-D-A n型支配的な半導体はD-A p型支配的な半導体に比べて振る舞うことを明らかにした。A-D-A型半導体中の比較的弱い分子間相互作用に起因し,C1スペーサは電子輸送のためのより効率的である。これらの知見は,初めてA-D-A n型支配的な共役高分子におけるアルキル側鎖の分子設計則を明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 立体配座 ,  *高分子半導体 ,  *ドナー ,  *アクセプタ ,  側鎖 ,  電気的性質 ,  *アルキル基 ,  *半導体 ,  分子設計 ,  *スペーサ ,  分子間相互作用
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  光物理的性質 ,  共役重合体 ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドナー ,  アクセプタ ,  高分子半導体 ,  電荷輸送 ,  アルキル鎖 ,  スペーサ