文献

J-GLOBAL ID：201702226863799612   整理番号：17A0214272

Si,SiC及びGaN電力デバイス:鍵となる性能指標に及ぼす不偏見解【Powered by NICT】

Si, SiC and GaN power devices: An unbiased view on key performance indicators

著者 (4件)： Deboy G. (Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria) ,  Treu M. (Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria) ,  Haeberlen O. (Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria) ,  Neumayr D. (Power Electronic Systems Laboratory, ETH Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 20.2.1-20.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチモード電源への応用に関連したけい素,SiC及びGaN電力デバイスのための静電容量とスイッチング損失のような重要なパラメータを検討した。ワイドバンドギャップデバイスは出力静電容量に蓄積された低電荷の大きさの約1桁をもたらすが,エネルギー当量は最新世代超接合素子と同等でほぼ同じであった。シリコンデバイスは,適度なスイッチング周波数で古典的ハードスイッチング用として普及するSiCとGaN系パワーデバイスは,中から高スイッチング周波数で共振トポロジーにおけるそれらの完全な利益を果たすであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振 ,  *ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  位相幾何学 ,  静電容量 ,  スイッチング損失 ,  電荷 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： ハードスイッチング ,  スイッチング周波数 ,  超接合 ,  *性能指標 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiC ,  GaN ,  電力デバイス ,  鍵 ,  性能指標 ,  見解