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J-GLOBAL ID:201702226950764645   整理番号:17A0064086

種々の酸化度を有するホウ素ドープダイヤモンド膜の電気化学的性能と電荷移動速度を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Electrochemical Performance and Charge Transfer Rate of Boron Doped Diamond with Different Oxidation Extent
著者 (3件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 911-918  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2592A  ISSN: 0479-8023  CODEN: PCTHAP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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陽極酸化電気化学酸化により,異なる酸化度のホウ素ドープダイヤモンド膜(BDD)電極を調製し,そのキャラクタリゼーションを行った。サイクリックボルタンメトリーとMOTT-SCHOTTKY曲線を用いて,異なる酸化程度のBDD電極の電気化学的性質と電荷移動速度を調べた。走査電子顕微鏡とラマン分光分析により,酸化後のBDD電極の形態と結晶構造はほとんど変化しないが,EDXエネルギースペクトル解析はBDD表面の酸素含有量が明らかに増加することを示した。サイクリックボルタンメトリーとMOTT-SCHOTTKY曲線アノード電流測定は,電荷移動速度が酸化度の増加と共に増加することを示した。接触角実験は,BDD電極の酸化度の増加に伴い,接触角が減少し,電極表面の親水性が徐々に増大するため,アノード電流モードで表される電荷移動速度が増大することを示した。しかし、MOTT-SCHOTTKY曲線は酸化還元電位差方式で表される電荷移動速度は酸化程度の増大に従い、先に増大し、その後減少し、これは異なる酸化時間で、表面基の種類及び各成分が総酸素含有量に占める割合が異なるためである。そのために生じる電荷移動速度も異なる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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電極過程  ,  塩基,金属酸化物 

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