文献

J-GLOBAL ID：201702226957928214   整理番号：17A0420506

Si系溶融合金中3C-,4H-,6H-SiC微粒子の粒成長挙動

著者 (3件)： 鳴海大翔 (東大 工) ,  CHAUSSENDE Didier (CNRS) ,  吉川健 (東大 生産技研)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 160th  ページ： ROMBUNNO.97  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 溶融金属 ,  電力トランジスタ ,  微粒子 ,  ケイ素合金 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  積層構造 ,  *結晶成長 ,  溶液成長 ,  溶媒 ,  粒径 ,  多形 ,  ケイ素 ,  晶癖 ,  *3C-炭化ケイ素 ,  *6H-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  *4H-SiC ,  *6H-SiC

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  溶融合金 ,  6H-SiC ,  微粒子 ,  粒成長 ,  挙動