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J-GLOBAL ID：201702227125232486   整理番号：17A0052758

InAs/Ga_1-yAl_yAs対称2重障壁ヘテロ構造におけるスピン依存共鳴トンネリングに対するAl濃度の影響

Effect of ‘Al’ concentration on spin-dependent resonant tunnelling in InAs/Ga1-y Al y As symmetrical double-barrier heterostructures

著者 (4件)： CHANDRASEKAR L BRUNO (Department of Physics, The American College, Madurai, India) ,  GNANASEKAR K (Department of Physics, The American College, Madurai, India) ,  KARUNAKARAN M (Department of Physics, Alagappa Arts College, Karaikudi, India) ,  CHANDRAMOHAN R (Department of Physics, Sree Sevugan-Annamalai College, Devakottai, India)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 39  号： 6  ページ： 1435-1440  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだ非磁性対称2重障壁半導体におけるスピン依存トンネリングに対するAl濃度の影響を理論的に研究した。上向きスピンと下向きスピン成分間の分離,障壁透過率,分極効率およびトンネリング寿命を,伝送行列法を用いて計算した。様々なAl濃度と様々な障壁幅に対するInAs/Ga_1-yAl_yAsヘテロ構造の場合について,上向きスピンと下向きスピン共鳴間の分離とトンネリング寿命を初めて報告した。どのような外場もない場合においても,この歪んだ非磁性2重障壁半導体において100パーセントの分極を得ることができた。Copyright 2016 Indian Academy of Sciences Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  対称性 ,  物理的性質 ,  *磁性 ,  障壁 ,  *ヘテロ接合 ,  *半導体 ,  *共鳴トンネル効果 ,  依存性 ,  *スピン ,  *スピン-軌道相互作用
準シソーラス用語： スピン依存性 ,  ヘテロ構造 ,  共鳴トンネリング ,  非磁性

著者キーワード (4件)： Spin-orbit interaction ,  barrier transparency ,  polarization efficiency ,  tunnelling lifetime.

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  原子の電子構造  (BH02010V)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  対称 ,  障壁 ,  ヘテロ構造 ,  スピン ,  共鳴トンネリング ,  Al