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J-GLOBAL ID：201702227174681079   整理番号：17A0704460

βGa_2O_3単結晶レーザ場への拡張応用:新しい有望な可飽和吸収体として利用されるCr~4+βGa_2O_3【Powered by NICT】

An extended application of β-Ga₂O₃ single crystals to the laser field: Cr⁴⁺:β-Ga₂O₃ utilized as a new promising saturable absorber

著者 (15件)： Mu Wenxiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan, 250100, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Yin Yanru ,  Jia Zhitai ,  Wang Lijuan ,  Sun Jie ,  Wang Mengxia ,  Tang Cheng ,  Hu Qiangqiang ,  Gao Zeliang ,  Zhang Jian ,  Lin Na ,  Veronesi Stefano ,  Wang Zhengping ,  Zhao Xian ,  Tao Xutang
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 35  ページ： 21815-21819  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク結晶成長,及び良好な結晶品質のそれらの容易な成長とドーピングを考えると,非常に重要なワイドバンドギャップ半導体,βGa_2O_3単結晶も有望な光学結晶候補であると考えられる。本研究では,Cr~4+βGa_2O_3単結晶を,エッジ規定膜供給成長法によって成長させるのに成功した。Cr~4+βGa_2O_3の熱伝導率は,室温16.2Wm~ 1K~ 1を得るa*方向に沿って測定した,通常使用されるCr~4+をドープした結晶のそれよりもはるかに大きく,Y_3Al_5O_12(YAG)またはYVO_4など。RamanスペクトルはβGa_2O_3結晶のカットオフフォノンエネルギーは767.8cm~ 1であったことを示した。受動Qスイッチナノ秒パルスNd:Cr~4+βGa_2O_3可飽和吸収体に基づくYAGレーザを初めて実験的に実証し,その機構を第一原理計算により説明した。Cr~4+βGa_2O_3結晶を挿入するNd:YAGレーザ共振器に適用することにより,50mWの最大平均出力パワーで得られたQスイッチレーザ動作。対応するパルス繰り返し率,パルス幅,パルスエネルギーは421.5kHz,235.2ns,0.12μJであった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  結晶成長 ,  YAGレーザ ,  *単結晶 ,  Ramanスペクトル ,  計算 ,  熱伝導率 ,  パルス ,  Nd-YAGレーザ ,  ドーピング ,  *可飽和吸収体 ,  パルス幅
準シソーラス用語： Qスイッチレーザ ,  受動Qスイッチング ,  ワイドギャップ半導体 ,  *レーザ場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  レーザ場 ,  拡張 ,  応用 ,  可飽和吸収体