サファイアの赤外線吸収を利用した,マイクロメートルの厚さの少量ドープn-GaNの基板からのレーザリフトオフ

VORONENKOV V. V.; VIRKO M. V.; KOGOTKOV V. S.; LEONIDOV A. A.; PINCHUK A. V.; ZUBRILOV A. S.; GORBUNOV R. I.; LATISHEV F. E.; BOCHKAREVA N. I.; LELIKOV Y. S.; TARKHIN D. V.; SMIRNOV A. N.; DAVYDOV V. Y.; SHEREMET I. A.; SHRETER Y. G.

文献

J-GLOBAL ID：201702227180728310 整理番号：17A0478371

サファイアの赤外線吸収を利用した,マイクロメートルの厚さの少量ドープn-GaNの基板からのレーザリフトオフ

On the Laser Lift-Off of Lightly Doped Micrometer-Thick n-GaN Films from Substrates Via the Absorption of IR Radiation in Sapphire

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Semiconductors (Semiconductors)

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巻： 51 号： 1 ページ： 115-121 発行年： 2017年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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GaNの自由キャリアによる赤外線吸収に基づく,少量ドープn-GaN膜(電子濃度n~10¹⁷cm^-3)のレーザリフトオフの方法を提案し,テストした。レーザリフトオフ技術の代替としてこの方法を利用できるように,この方法の応用限界を拡張した。この目的で,GaN/サファイア界面におけるサファイア基板の局所的加熱,ならびにサファイア基板からGaN膜を脱離するための界面GaN層の熱解離にサファイア内のIRレーザ光の吸収を利用する可能性を調べた。

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