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J-GLOBAL ID：201702227215117878   整理番号：17A0537842

超音波スプレー熱分解により作製したCu_4ZnSnS_2/ZnSヘテロ接合の電気的性質【Powered by NICT】

Electrical properties of Cu_4ZnSnS_2/ZnS heterojunction prepared by ultrasonic spray pyrolysis

著者 (5件)： Guitouni S (Thin Films Laboratory, Faculty of Sciences, Freres Mentouri Constantine 1 University) ,  Khammar M (Thin Films Laboratory, Faculty of Sciences, Freres Mentouri Constantine 1 University) ,  Messaoudi M (Thin Films Laboratory, Faculty of Sciences, Freres Mentouri Constantine 1 University) ,  Attaf N (Thin Films Laboratory, Faculty of Sciences, Freres Mentouri Constantine 1 University) ,  Aida M S (Thin Films Laboratory, Faculty of Sciences, Freres Mentouri Constantine 1 University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 12  ページ： 5-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)/ZnSヘテロ接合をガラス基板上に超音波噴霧熱分解法によるZnSとCZTS薄膜の逐次蒸着により調製した。デバイス特性へのその影響を調べるために,塩化銅濃度は出発溶液中の変化させた。CZTS/ZnSヘテロ接合は,種々の温度での電流-電圧特性を記録することにより特性化した。得られた結果は,実現ヘテロ接合の良好な整流挙動を示した。これらの結果の分析は,飽和電流,直列抵抗と理想因子の決定を与えた。飽和電流の活性化エネルギーから,障壁高さによる熱放射は逆電流の支配的な機構ではなく欠陥寄与があることを推定した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超音波 ,  *ヘテロ接合 ,  キャラクタリゼーション ,  整流 ,  *硫化亜鉛 ,  活性化エネルギー ,  塩化銅 ,  太陽電池 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  理想因子 ,  直列抵抗 ,  飽和電流 ,  CZTS ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CZTS ,  ヘテロ接合 ,  噴霧熱分解 ,  太陽電池

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超音波スプレー熱分解 ,  作製 ,  ZnS ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質