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J-GLOBAL ID：201702227313760344   整理番号：17A0412022

ナノスケールSTT-MRAMのための読取障害問題と設計技術【Powered by NICT】

Read disturbance issue and design techniques for nanoscale STT-MRAM

著者 (6件)： Ran Yi (Spintronics Interdisciplinary Center, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Kang Wang (Spintronics Interdisciplinary Center, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhang Youguang (Spintronics Interdisciplinary Center, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Klein Jacques-Olivier (Institut D’Electronique Fondamentale (IEF), Univ. Paris-Sud, CNRS, Orsay, 91405, France) ,  Zhao Weisheng (Spintronics Interdisciplinary Center, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhao Weisheng (Institut D’Electronique Fondamentale (IEF), Univ. Paris-Sud, CNRS, Orsay, 91405, France)
資料名： Journal of Systems Architecture  (Journal of Systems Architecture)
巻： 71  ページ： 2-11  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0883A  ISSN： 1383-7621  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルク磁気ランダムアクセスメモリ(STT MRAM)は,次世代不揮発性メモリ技術のための最も有望な候補の一つとして考えられ,その魅力的な特徴,高密度,高速,低電力と高耐久性を含むのおかげで広く行われている。しかし,本研究は,読み出し障害はSTT-MRAMの重要な信頼性問題になる可能性があることを示した。技術はナノスケールのノードにスケールダウンするにつれて,この読取障害問題が深刻になり,STT-MRAM商業化のための重要な信頼性障壁であるに転換されるかもしれない,読取/書込電流の差が減少するためである。本論文では,まず技術スケールとしてSTT-MRAMの読出障害問題に対する深い分析を与え,特徴を捕捉するモデルを提示し,その典型的な特徴を利用しての読出擾乱を検出する回路を提案した,すなわち,(a)読み出し障害が発生した場合メモリセルの抵抗(読み出し電流)は急激な変化を持つであろう;(b)1方向のみの読出擾乱の本論文では,ノーマルリード作業中に発生する可能性がある。検出結果に基づいて,擾乱故障を扱うだけでなく,最小待ち時間と電力オーバヘッドを維持するために提示した更なる補正法と最適化戦略。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  電力 ,  信頼性 ,  *記憶素子 ,  高速度 ,  最適化 ,  商業化 ,  不揮発性メモリ ,  待ち時間 ,  耐久性
準シソーラス用語： 補正法 ,  スケールダウン ,  低電力化 ,  スピントルク ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 不揮発性メモリ ,  読取障害 ,  信頼性 ,  STT-MRAM

分類 (2件)： データ保護  (JD01020V) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  STT-MRAM ,  読取 ,  障害 ,  設計