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J-GLOBAL ID:201702227319403004   整理番号:17A0376573

薄膜トランジスタにおける使用のための電気流体力学ジェット印刷による直接延伸ZnO半導体とMWCNT/PSS電極:信頼できるデバイス性能のための理想的な組合せ【Powered by NICT】

Directly drawn ZnO semiconductors and MWCNT/PSS electrodes via electrohydrodynamic jet printing for use in thin-film transistors: The ideal combination for reliable device performances
著者 (8件):
資料名:
巻: 39  ページ: 272-278  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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導電性と半導性材料の溶液処理蒸着は高真空装置を使用せずに大面積で低コストの電子デバイスの作製を可能にした。薄膜トランジスタ(TFT)のような溶液処理デバイスを商業化の可能性を得るために,各成分の容易で簡単なパターニングプロセスは重要な課題となっている。本研究では,電気流体力学(EHD)印刷技術を用いた直接パターン化された半導体と電極を調製し,信頼性のあるn型TFTでそれらを利用した。EHD印刷技術を利用することにより,酸化亜鉛(ZnO)半導体の直線を成功裏に高溶解性前駆体,アクリル酸亜鉛(ZnA)から得られた,TFTの活性層として使用した。得られたデバイスは良好なTFT特性を示し,少量のインジウムのドーピングはそれらの性能を向上させることができる。さらに,直接延伸半導体とソース/ドレイン(S/D)電極から成るZnO TFTアレイの実現のための予めパターン化したZnO基板上に三つの異なる導電性材料を印刷した。多層炭素nanotube/ポリスチレンスルホン酸(MWCNT/PSS)電極は安定な系を形成することが見いだされ,その溶液処理TFTは,無視できるヒステリシスを有する信頼性のある動作を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  高分子固体の物理的性質 

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