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J-GLOBAL ID：201702227326446053   整理番号：17A0402896

アニーリングによるZnOナノロッド上のコヒーレント単結晶ドットへのCuO多結晶層の発展【Powered by NICT】

Evolution of CuO poly-crystalline layers to coherent single-crystalline dots on ZnO nanorods upon annealing

著者 (3件)： Wang Ruey-Chi (Department of Chemical and Materials Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan) ,  Hou Yuan-Ru (Department of Chemical and Materials Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan) ,  Chen Yi-Wen (Department of Chemical and Materials Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 625-630  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO/CuO p-nヘテロ接合は,デバイス応用のために多くの注目を集めているが,電気的性質を制御するための重要な,コヒーレント接合は異なる結晶構造に起因する課題として残っている。本研究では,CuO単結晶ドットは,提案した二段階プロセスを用いたZnOナノロッド上に合成したコヒーレントに合成される。透過型電子顕微鏡像は,多結晶Cu_xO層で覆われたナノロッドを焼なまし単結晶ZnOナノロッドにCuOコヒーレントドットの形成を確認した。コヒーレントドットは二種類エピタクシー方位を示す:CuO[002]ZnO[101 1]CuO[111]ZnO[0002],およびCuO[002]ZnO[101 1],CuO[111]ZnO[0002]。堆積Cu_xO層の厚さは10から30nmに増加すると,得られたCuOドットのアスペクト比は0.43から0.21に減少し,膜状形態に近づいた。本研究では,ZnO,優れたCuO/ZnOナノデバイスを作製に向けてのさらなる一段階にCuOコヒーレント単結晶構造を調製するための経路を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *多結晶 ,  *コヒーレンス ,  *酸化亜鉛 ,  ヘテロ接合 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *単結晶 ,  アスペクト比 ,  電気的性質 ,  *焼なまし ,  *ナノロッド ,  *酸化第二銅 ,  結晶構造
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  *酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CuO ,  ZnO ,  エピタキシャル ,  コヒーレント

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： アニーリング ,  ZnOナノロッド ,  コヒーレント ,  単結晶 ,  ドット ,  CuO ,  多結晶 ,  発展