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J-GLOBAL ID：201702227341395571   整理番号：17A0275247

Langmuir-Blodgett自己集合による固体基板上のグラフェン酸化物/グラフェン膜の形成【Powered by NICT】

Formation of graphene oxide/graphene membrane on solid-state substrates via Langmuir-Blodgett self-assembly

著者 (3件)： Xie Xiao (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, School of Electronic Science and Engineering, SEU-FEI Nano-Pico Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Shen Yuting (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, School of Electronic Science and Engineering, SEU-FEI Nano-Pico Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Litao (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, School of Electronic Science and Engineering, SEU-FEI Nano-Pico Center, Southeast University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CISP-BMEI  ページ： 1632-1637  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重要な二次元ナノ材料であるグラフェンは,前例のない,世界的な注目を引き出して,特にエレクトロニクス,エネルギー貯蔵,環境科学と生物工学である。Langmuir-Blodgett自己集合法により固体基板上に高品質グラフェン/グラフェン酸化物(GO)膜を形成するための簡便なプロトコルを報告した。過程は液固気界面での層形成を含み,膜の界面と化学的還元(選択的プロセス)から垂直に固体基板を引っ張る。膜の性質を変化させる可能性があるパラメータを調べた。pHは,膜の滑らかさと連続性に影響するので,最も重要な因子と考えられた。引張りサイクルは膜の厚さに顕著な影響を与えた。固体基板上のグラフェン膜の直接形成はグラフェン移動過程からの金属粒子残基,有機化合物の不完全な除去についての懸念を除去し,graphene/GO層の完全性と連続性を保証する可能性がある。手順は,高品質グラフェンナノデバイスの作製に光を当てるであろうと信じられている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成層 ,  電子技術 ,  *グラフェン ,  完全性 ,  界面 ,  プロトコル ,  二次元 ,  環境科学 ,  気固界面 ,  ナノ材料 ,  連続性 ,  バイオテクノロジー ,  *自己集合
準シソーラス用語： 金属粒子 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己集合 ,  固体 ,  グラフェン酸化物 ,  グラフェン膜