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J-GLOBAL ID：201702227423825361   整理番号：17A0124031

Qスイッチ全ファイバレーザでの可飽和吸収体としてのPMMA-ドープCdSe量子ドット【Powered by NICT】

PMMA-doped CdSe quantum dots as saturable absorber in a Q-switched all-fiber laser

著者 (4件)： Hisyam M B (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya) ,  Rusdi M F (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya) ,  Latiff A A (Photonics Research Center, University of Malaya) ,  Harun S W (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya)
資料名： Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban)  (Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban))
巻： 14  号： 8  ページ： 081404-1-081404-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2637A  ISSN： 1671-7694  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 受動可飽和吸収体(SA)としての量子ドット(QD)CdSeを用いたイッテルビウムドープファイバレーザ(YDFL)からのQスイッチパルスの発生を実証した。CdSe QDは溶媒と界面活性剤としてのCdO,Se,と酢酸マンガンの合成とパラフィン油とオレイン酸を利用して,それぞれ作製した。CdSe QDは,乳化重合プロセスによるポリメタクリル酸メチル(PMMA)にドープした。均一端面を有するPMMAホストCdSe QD薄いフレークは二フェルールの間に形成された設置とYDFL空洞中に会合した24.45~40.50kHzの繰返し速度をもつQスイッチング動作を達成することである975~1196mWのポンプパワーを変化させた。パルス幅は,1101mWのポンプパワーで0.77μJで計算した最大パルスエネルギー6.78から3.65μsまで変化した。フォトニクス応用における半導体QD材料に比例洞察を与えるべきであることを全ファイバ配置中のCdSe QDに基づくQスイッチングの最初の実証である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  *可飽和吸収体 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  *セレン化カドミウム ,  *ドーピング ,  *スイッチ ,  Qスイッチング ,  乳化重合 ,  *ファイバレーザ ,  パルス幅 ,  不飽和脂肪酸 ,  オレフィン化合物
準シソーラス用語： 繰返し速度 ,  パラフィン油 ,  *CdSe量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

物質索引 (2件)： オレイン酸 ,  酢酸マンガン

タイトルに関連する用語 (6件)： Qスイッチ ,  ファイバレーザ ,  可飽和吸収体 ,  PMMA ,  ドープ ,  CdSe量子ドット