文献

J-GLOBAL ID：201702227545551346   整理番号：17A0214253

Si/SiGeチャネルCMOS FinFTT技術実行可能なDC性能要素【Powered by NICT】

Technology viable DC performance elements for Si/SiGe channel CMOS FinFTT

著者 (48件)： Tsutsui Gen (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Bao Ruqiang (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Lim Kwan-yong (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Robison Robert R. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Vega Reinaldo A. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Yang Jie (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Liu Zuoguang (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Wang Miaomiao (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Gluschenkov Oleg (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Yeung Chun Wing (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Watanabe Koji (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Bentley Steven (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Niimi Hiroaki (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Liu Derrick (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Zhou Huimei (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Siddiqui Shariq (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Kim Hoon (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Galatage Rohit (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Venigalla Rajasekhar (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Raymond Mark (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Adusumilli Praneet (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Mochizuki Shogo (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Devarajan Thamarai S. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Miao Bruce (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Liu Bei (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Greene Andrew (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Shearer Jeffrey (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Montanini Pietro (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Strane Jay W. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Prindle Christopher (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Miller Eric R. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Fronheiser Jody (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Niu Chengyu C. (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Chung Kisup (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Kelly James J. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Jagannathan Hemanth (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Kanakasabapathy Sivananda (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Karve Gauri (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Lie Fee Li (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Oldiges Philip (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Narayanan Vijay (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Hook Terence B. (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Knorr Andreas (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  Gupta Dinesh (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Guo Dechao (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Divakaruni Rama (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Bu Huiming (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA) ,  Khare Mukesh (IBM Research, 257 Fuller Rd, Albany NY 12203, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 17.4.1-17.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低Ge含有量のSiGeベースCMOS FinFETは,高性能と低電力応用の両方に対する解を提供する有望な技術[1 2]の一つである。本論文では,競合SiGe CMOS FinFETベースラインを確立し,高性能提供のための種々の要素を検討した。ゲートスタック,チャネルドーピング,接触抵抗,および接合における性能要素は,累積20%/25%(n/pFET)性能強化を提供するために調べた。これらの要素は,将来の技術ノードのための高性能化に向けた実行可能な道筋を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基準線 ,  接触抵抗 ,  *チャネル ,  *CMOS
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  FinFET ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiGe ,  チャネル ,  CMOS ,  DC ,  要素