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J-GLOBAL ID：201702227550309465   整理番号：17A0834714

GHzバンド幅を持つ半極性(11<span style=text-decoration:overline>2</span>2)InGaN/GaN発光ダイオード

GHz bandwidth semipolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>2) InGaN/GaN light-emitting diodes

著者 (5件)： DINH Duc V. (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  QUAN Zhiheng (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  ROYCROFT Brendan (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  PARBROOK Peter J. (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  CORBETT Brian (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 41  号： 24  ページ： 5752-5755  発行年： 2016年12月15日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  帯域幅 ,  *極性 ,  信号変調 ,  ノンリターンツーゼロ ,  ASK【信号】
準シソーラス用語： InGaN ,  バンド幅 ,  *半極性 ,  電気光学変調 ,  OOK【信号】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GHz ,  バンド幅 ,  半極性 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード