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J-GLOBAL ID：201702227633696523   整理番号：17A0470958

LSMO/TiO_2二層バッファを用いたGaN基板上に集積したエピタキシャル高速BiFe_0Cu3O6.95Mn_0 0.05O_3強誘電体膜【Powered by NICT】

High-performance BiFe_0.95Mn_0.05O₃ ferroelectric film epitaxially integrated on GaN substrate with LSMO/TiO₂ bi-layer buffer

著者 (8件)： Xu Leilei (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, No. 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, PR China) ,  Xu Leilei (University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, PR China) ,  Li Xiaomin (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, No. 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, PR China) ,  Zhu Qiuxiang (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, No. 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, PR China) ,  Xu Xiaoke (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, No. 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, PR China) ,  Xu Xiaoke (School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, No. 100 Haiquan Road, Shanghai 201418, PR China) ,  Qin Meng (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, No. 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, PR China) ,  Qin Meng (University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 193  ページ： 240-243  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた強誘電性能を持つ高度に(111)配向BiFe_0 0.95Mn_0 0.05O_3(BFMO)薄膜を,パルスレーザ蒸着によりLa_0 7Sr_0 3MnO_3(LSMO)/TiO_2二層バッファを持つ(0002)GaN基板上にエピタキシャル成長させた。LSMO/TiO_2二層バッファを用いて,ペロブスカイト(111)BFMOとウルツ鉱型(0002)GaN間の格子不整合は奇跡的12.4%から1.4%に減少した。BFMO(111)膜の残留強誘電分極と抗電場は115μC/cm~2と450kV/cmであった。裸のGaN基板上に堆積させたBFMO膜と比較して,残留強誘電分極は92%増強された。圧電応答力顕微鏡(PFM)画像は,BFMO(111)膜は完全な強誘電スイッチング特性を有することを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  強誘電性 ,  格子不整合 ,  *エピタクシー ,  薄膜 ,  *高速度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  抗電場
準シソーラス用語： ビスマスフェライト ,  強誘電スイッチング ,  圧電応答力顕微鏡 ,  強誘電分極 ,  ウルツ鉱 ,  *強誘電体薄膜 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ferroelectrics ,  ビスマスフェライト ,  二層バッファ ,  エピタキシャル成長 ,  GaN統合

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： LSMO ,  バッファ ,  GaN ,  集積 ,  エピタキシャル ,  強誘電体膜