文献

J-GLOBAL ID：201702227667119673   整理番号：17A0759093

ZnMgO電子輸送層を持つカドミウムフリーInP/ZnSeS/ZnSヘテロ構造ベース量子ドット発光ダイオードと 2~10000以上のCd mの明るさ【Powered by NICT】

Cadmium-Free InP/ZnSeS/ZnS Heterostructure-Based Quantum Dot Light-Emitting Diodes with a ZnMgO Electron Transport Layer and a Brightness of Over 10 000 cd m^-2

著者 (9件)： Wang Hung Chia (Department of Chemistry, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Zhang Heng (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Chen Hao Yue (Department of Chemical Engineering and Biotechnology, National Taipei University of Technology, Taipei, 106, Taiwan) ,  Yeh Han Cheng (Material and Chemical Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute (ITRI), Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Tseng Mei Rurng (Material and Chemical Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute (ITRI), Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Chung Ren Jei (Department of Chemical Engineering and Biotechnology, National Taipei University of Technology, Taipei, 106, Taiwan) ,  Chen Shuming (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Liu Ru Shi (Department of Chemistry, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Liu Ru Shi (Department of Mechanical Engineering and Graduate, Institute of Manufacturing Technology, National Taipei University of Technology, Taipei, 106, Taiwan)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 13  ページ： ROMBUNNO.201603962  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カドミウムを含まない厚いInP/ZnSeS/ZnS量子ドット(QD)は,加熱法を用いて合成した。量子ドットは逆量子ドット発光ダイオード(QLED)デバイスを使用した。反転QLEDデバイスの輝度はm以上10000Cd~ 2,低ターンオン電圧(2.2 V),高出力効率(4.32 lm W~ 1)の輝度に達することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *カドミウム ,  *量子ドット ,  輝度 ,  *発光ダイオード ,  *リン化インジウム ,  *硫化亜鉛
準シソーラス用語： 高出力 ,  ターンオン電圧 ,  *ヘテロ構造 ,  *電子輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バックライト ,  Cdを含まない量子ドット ,  反転発光ダイオード ,  熱安定性 ,  厚殻量子ドット

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子輸送層 ,  カドミウム ,  InP ,  ZnS ,  ヘテロ構造 ,  量子ドット ,  発光ダイオード ,  Cd ,  明るさ