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J-GLOBAL ID:201702227667119673   整理番号:17A0759093

ZnMgO電子輸送層を持つカドミウムフリーInP/ZnSeS/ZnSヘテロ構造ベース量子ドット発光ダイオードと 2~10000以上のCd mの明るさ【Powered by NICT】

Cadmium-Free InP/ZnSeS/ZnS Heterostructure-Based Quantum Dot Light-Emitting Diodes with a ZnMgO Electron Transport Layer and a Brightness of Over 10 000 cd m-2
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資料名:
巻: 13  号: 13  ページ: ROMBUNNO.201603962  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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カドミウムを含まない厚いInP/ZnSeS/ZnS量子ドット(QD)は,加熱法を用いて合成した。量子ドットは逆量子ドット発光ダイオード(QLED)デバイスを使用した。反転QLEDデバイスの輝度はm以上10000Cd~ 2,低ターンオン電圧(2.2 V),高出力効率(4.32 lm W~ 1)の輝度に達することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  発光素子  ,  無機化合物のルミネセンス 

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