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J-GLOBAL ID：201702227713608823   整理番号：17A0769215

単一InAs量子ドットにおける電子のスピン緩和【Powered by NICT】

Spin Relaxation of Electrons in Single InAs Quantum Dots

著者 (7件)： MA Shan-Shan (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  DOU Xiu-Ming (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  CHANG Xiu-Ying (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  SUN Bao-Quan (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  XIONG Yong-Hua (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  NIU Zhi-Chuan (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  NI Hai-Qiao (SKLSM,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 11  ページ： 177-179  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 偏光分解光ルミネセンススペクトルを用いて,正に帯電した励起子X +(一電子,二正孔)の配置をもつ単一InAs量子ドット(QD)における電子スピン緩和を研究した。ホットエレクトロンのスピン緩和速度は励起光子の増加するエネルギーと共に増加した。QDに局在する電子のためにスピン緩和は核との超微細相互作用により誘起される。温度上昇に伴う偏光度の急速な減少は,スピン緩和機構は主に電子-正孔交換相互作用への核との超微細相互作用から変化したことを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 昇温 ,  ホットエレクトロン ,  励起子 ,  高速度 ,  正孔 ,  *超微細相互作用 ,  偏光 ,  交換相互作用 ,  電子スピン緩和
準シソーラス用語： 偏光度 ,  励起光 ,  光ルミネセンススペクトル ,  *スピン緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワードはない

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： InAs量子ドット ,  電子 ,  スピン緩和