文献

J-GLOBAL ID：201702227858262692   整理番号：17A0697850

ゾル-ゲル誘導した0.65PMN-0.35PT薄膜の構造と電気的性質に及ぼす焼なまし温度の影響【Powered by NICT】

Effects of annealing temperature on structure and electrical properties of sol-gel derived 0.65PMN-0.35PT thin film

著者 (8件)： Zhou Dingguo (School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Sun Huajun (School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Sun Huajun (Advanced Ceramics Institute of Zibo New & High-Tech Industrial Development Zone, Zibo 255000, People’s Republic of China) ,  Liu Xiaofang (School of Chemistry, Chemical Engineering and Life Sciences, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Sui Huiting (Advanced Ceramics Institute of Zibo New & High-Tech Industrial Development Zone, Zibo 255000, People’s Republic of China) ,  Guo Qinghu (School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Liu Pengdong (School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Ruan Yong (Collaborative Innovation Center for Micro/Nano Fabrication, Device and System, State Key Laboratory of Precision Measurement Technology and Instruments, Department of Precision Instrument, Tsinghua University, Beijing, 100084, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 5901-5906  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.65Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3 0.35PbTiO_3(0.65PMN 0.35PT)薄膜をゾル-ゲル法を用いて550~700°Cから焼なましPt/Ti/SiO_2/Si基板上に堆積した。微細構造,絶縁性,強誘電及び誘電特性に及ぼすアニーリング温度の影響を特性化した。結果は0.65PMN-0.35PT薄膜は多結晶構造を持ち,わずかなパイロクロア相の存在にもかかわらずペロブスカイト相に十分適合していることを明らかにした。すべての温度でアニールした膜試料は,大きなボイドのない比較的緻密な表面を示し,粒径はアニール温度の上昇とともに増加した。一方,パイロクロア相が過剰な高温でのPbの揮発によるペロブスカイト相の変形のために生じた。650°Cでアニールした膜は130nmの比較的均一な大きな結晶粒サイズ及び約10~ 6cm~2の低い漏れ電流による10~4Hzで0.122の残留分極(P_R)値13.31μC/cm~2,1692の誘電定数(ε_R)と比較的低い誘電損失(tanδ)を有する優れた強誘電性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 残留分極 ,  チタン ,  強誘電性 ,  鉛 ,  ゾル-ゲル法 ,  誘電率 ,  *薄膜 ,  *ゲル ,  結晶粒径 ,  *焼なまし ,  誘電損失 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造 ,  パイロクロア ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A.ゾル-ゲル過程 ,  C.誘電特性 ,  強誘電特性

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  焼なまし温度