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J-GLOBAL ID：201702227884319313   整理番号：17A0741312

シルセスキオキサンに基づくナノ多孔質低k誘電体膜の特性化と集積性能

Characterization and Integration Performance of Methyl Silsesquioxane-Based Nano Porous Low-k Dielectric Films

著者 (11件)： CHOI Eunmi (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  NAM Minwoo (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Areum (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Keunwon (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  ZHENG Longshou (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Soon Hyeong (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Sung Pil (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  HAHN Sang June (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Soo-Kil (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  SON Hyungbin (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  PYO Sung Gyu (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 11  ページ： 11224-11228  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 被覆,焼成,硬化のための最適プロセス条件を用いて,三種類のシルセスキオキサンに基づくナノ多孔質低k(≦2.5)誘電体をスピンコーティングにより作製した。得られた低k誘電体の特性をスピンコーティング,エッチング,化学機械研磨,及び集積の観点から評価した。二酸化炭素プラズマ処理を行い,化学蒸着したキャッピング層と低k膜の界面の接着特性を向上させた。最適エッチング工程を決定し,1LM集積試験を行い,これらの材料の電気的性質を評価した。金属線抵抗と漏れ電流は同程度であったが,低k誘電体の破壊電界強度はナノ多孔質低k誘電体よりも高かった。

シソーラス用語： *有機ケイ素化合物 ,  ナノ材料 ,  誘電体薄膜 ,  スピンコーティング ,  *誘電体 ,  エッチング ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  金属線 ,  漏れ電流 ,  *電界強度 ,  *破壊強さ ,  プラズマ処理 ,  赤外吸収スペクトル ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  *シルセスキオキサン ,  ナノ多孔質体 ,  *低k誘電体 ,  *破壊電界強度

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： シルセスキオキサン ,  ナノ多孔質 ,  低k誘電体 ,  特性化 ,  集積