文献

J-GLOBAL ID：201702227896584844   整理番号：17A0048476

AlGaN/GaN HEMTの包括的な計算モデリング手法

A Comprehensive Computational Modeling Approach for AlGaN/GaN HEMTs

著者 (4件)： Joshi Vipin (Department of Electrical Engineering at Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Soni Ankit (Advanced Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Tiwari Shree Prakash (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, India) ,  Shrivastava Mayank (Advanced Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 15  号： 6  ページ： 947-955  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの包括的な計算モデリング手法を紹介した。異なる材料界面における分極電荷の,エピタキシャルスタック全体の寄生電荷ならびにエネルギーバンドプロファイルに及ぼす影響を,モデル化して検討した。さらに,表面およびバルクトラップが2次元電子ガス,デバイス特性,およびゲート漏れに及ぼす影響について説明した。ドナー型トラップとしてモデル化した表面状態は,ゲート漏れと相関していた。さらに,ショットキーゲートデバイスにおける順方向ゲート漏れを正確にモデル化するための新しい手法を提案した。最後に,キャリア加熱,格子加熱およびバルクトラップのデバイス特性に対する関連性を強調しながら,格子およびキャリア加熱の影響を検討した。これに加えて,寄生電荷,量子効果,S/Dショットキーコンタクト,高電界効果などの他の重要な側面のモデリング戦略も提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  モデリング ,  *固体素子モデル ,  漏れ電流 ,  ゲート【半導体】 ,  計算モデル ,  電荷 ,  分極 ,  バンド構造
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  ゲート漏れ電流 ,  分極電荷 ,  エネルギーバンド

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  計算モデリング ,  手法