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J-GLOBAL ID：201702227945127851   整理番号：17A0389402

ゲート変調光電流応答による高品質グラフェン/MoS_2垂直電界効果トランジスタへの容易な経路【Powered by NICT】

A facile route to a high-quality graphene/MoS₂ vertical field-effect transistor with gate-modulated photocurrent response

著者 (7件)： Farooq Khan M. (Department of Physics & Astronomy and Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 05006, Korea. [e-mail]) ,  Arslan Shehzad M. ,  Zahir Iqbal M. ,  Waqas Iqbal M. ,  Nazir Ghazanfar ,  Seo Yongho ,  Eom Jonghwa
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 9  ページ： 2337-2343  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン(Gr)と二硫化モリブデン(MoS_2)のような,二次元層状材料は,次世代電子デバイス材料のための魅力的で刺激的な候補になっている。垂直組合せは新しい電子およびフォトニックデバイスをもたらした。H BN/Gr/MoS_2/Mo多重ヘテロ構造を持つ垂直電界効果トランジスタ(FET)を作製した。改良された性能を有する高品質垂直FETを設計した容易な合成法。MoS_2は直接高分子を用いることなく,SiO_2/h BN/Grに移された,これはGrとMoS_2間の清浄界面を生成した。~10~6の高い電流オンオフ比は~10~5A cm~ 2の高電流密度を実証した。著者らの結果は,h-BN,最上モリブデン金属接触,GrとMoS_2間の清浄界面上の高品質底Grに起因していた。垂直FETの光応答も深紫外照射下で調べた。これら垂直デバイスの電流密度と光電流応答は,バックゲート電圧に強く依存した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  界面 ,  二次元 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電流 ,  積層材料 ,  電流密度
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  オンオフ比 ,  ヘテロ構造 ,  フォトニックデバイス ,  二硫化モリブデン ,  *高品質 ,  *電流応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  変調光 ,  電流応答 ,  高品質 ,  グラフェン ,  垂直 ,  電界効果トランジスタ ,  経路