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J-GLOBAL ID：201702227979755887   整理番号：17A0124327

複合極性および非極性AlGaN/GaNヘテロ構造を持つ溝型チャネルエンハンスメントモードAlGaN/GaN MIS H EMT【Powered by NICT】

Groove-type channel enhancement-mode AlGaN/GaN MIS HEMT with combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostructures

著者 (6件)： Duan Xiaoling (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Xiao Ming (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhao Yi (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ning Jing (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 8  ページ： 087304-1-087304-07  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複合極性及び非極性AlGaN/GaNヘテロ構造を有する新規溝タイプチャネルエンハンスメントモードAlGaN/GaN MIS高電子移動度トランジスタ(GTCE HEMT)を紹介した。デバイスシミュレーションは,1.24Vのしきい値電圧,ピーク相互コンダクタンス182mS/mm,85mV/decのサブ閾値傾斜,素子パラメータを調整することによって得られるを示した。興味深いことに,この構造を採用することにより作製におけるエッチング深さを正確に制御することがない場合のしきい値電圧を正確に制御することが可能である。に加えて,破壊電圧(V_B)は従来のMIS-HEMTの値と比較して,78%有意に増加した。さらに,従来のデプリーションモード(D モード)極性AlGaN/GaNH EMTのそれと完全に適合する新しいデバイスの製造プロセス。スイッチの応用とE/Dモード論理回路を実現するための有望な方法を提示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  論理回路 ,  *チャネル ,  *極性 ,  生産工程 ,  *溝形 ,  相互コンダクタンス ,  *非極性
準シソーラス用語： *エンハンスメントモード ,  絶縁破壊電圧 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  デバイスシミュレーション ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaNH EMT ,  エンハンスメントモード動作 ,  溝チャネル ,  非極性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 極性 ,  非極性 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  溝型 ,  チャネル ,  エンハンスメントモード ,  MIS ,  EMT