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J-GLOBAL ID：201702227988516010   整理番号：17A0764678

電子ドープ超伝導体Pr(1 x)LaCe_xCuO(4 δ)薄膜の成長と輸送特性【Powered by NICT】

Growth and transport features of electron-doped superconductor Pr_(1-x)LaCe_xCuO_(4-δ) thin films

著者 (10件)： Gao Li-Juan (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Jin Kui (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Li (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Bin-Xin (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Li Wei-Yong (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Bei-Yi (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Cao Li-Xin (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Bo (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Qiu Xiang-Gang (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Bai-Ru (Institute of Physics Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 5  ページ： 2054-2057  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： T’相電子ドープ超伝導体Pr(1 x)LaCe_xCuO(4 δ)(PLCCO)薄膜をdcマグネトロンスパッタリング法を用いてSrTiO_3(100)基板上に作製することに成功した。膜はc軸に沿って高度に配向した構造を持つことが分かった。x≒0.10の最適ドープ膜では,超伝導転移温度T_cは23.5Kであり,これは単結晶のそれと類似していた。T>T_c場合抵抗率の二次温度依存性が観測され,これは二次元Fermi液体挙動に起因すると考えられる。に加えて,T’-相PLCCO薄膜を調製するための最適条件も詳細に検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi液体 ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  最適条件 ,  マグネトロンスパッタリング ,  温度依存性 ,  *超伝導体 ,  二次元 ,  *薄膜 ,  *プラセオジム ,  単結晶
準シソーラス用語： 超伝導転移温度 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子ドープ銅酸化物 ,  Pr(1 x)LaCe_xCuO(4 δ) ,  薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  ドープ ,  超伝導体 ,  Pr ,  薄膜 ,  成長 ,  輸送特性