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J-GLOBAL ID：201702228175297723   整理番号：17A0696022

MEMS/NEMS用にスパッタしたアモルファスシリコン膜の研究

The Investigation of Sputtered Amorphous Silicon Films for MEMS and NEMS Applications

著者 (7件)： DU Bo (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  DU Bo (26th Inst. China Electronics Technol. Group Corp., Chongqing, CHN) ,  MA Jinyi (26th Inst. China Electronics Technol. Group Corp., Chongqing, CHN) ,  JIAO Xiangquan (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHANG Rui (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHONG Hui (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  SHI Yu (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 8  ページ： 8061-8066  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMS/NEMSの犠牲層又は構造層として,Si(111)ウエハ上にアモルファスシリコン(a-Si)をRFマグネトロンスパッタリングにより蒸着し,膜の構造,表面粗さ,密度,蒸着速度,残留応力を様々な蒸着条件下で調べた。良好な性能を得るために,小さな表面粗さ,高密度,高速蒸着,小さな動径応力を必要とした。X線回折では,スパッタした膜は純a-Siであった。0.5Paの圧力では,表面粗さと残留応力は小さく,膜の密度が高く,構造層に適した。RFパワーが100Wのとき,表面粗さは小さかったが,蒸着速度が遅すぎた。RFパワーを150Wに上げると,蒸着速度が急速に向上したが,表面粗さと残留応力は殆ど変わらなかった。

シソーラス用語： MEMS ,  *アモルファスシリコン ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  表面粗さ ,  密度 ,  残留応力 ,  X線回折
準シソーラス用語： NEMS

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MEMS ,  NEMS ,  スパッタ ,  アモルファス ,  シリコン膜 ,  研究