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J-GLOBAL ID：201702228474077494   整理番号：17A0385673

Fe₃Si/Ge/Fe₃Si三層に関するGaAs(001)上での固相エピタクシーを用いた成長

Growth of Fe₃Si/Ge/Fe₃Si trilayers on GaAs(001) using solid-phase epitaxy

著者 (6件)： Gaucher S. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Jenichen B. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Kalt J. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Jahn U. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Trampert A. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Herfort J. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 10  ページ： 102103-102103-5  発行年： 2017年03月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *多層 ,  化合物半導体 ,  スピントロニクス ,  鉄化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *MBE成長 ,  *ヘテロ接合 ,  注入 ,  スピン分極 ,  超格子 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  格子整合
準シソーラス用語： 三層構造 ,  固相エピタキシー ,  スピン注入

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  GaAs ,  固相エピタクシー ,  成長